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Comprehensive TCAD Investigation of RF Performance, Noise Characteristics, and Intrinsic Capacitances of InAlAs/InGaAs/InP HEMTs: Impact of Gate-to-Channel Distance and Gate Bias.

Article scientifique 2026 Autre

Résumé

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Derrouiche, S. (2026). Comprehensive TCAD Investigation of RF Performance, Noise Characteristics, and Intrinsic Capacitances of InAlAs/InGaAs/InP HEMTs: Impact of Gate-to-Channel Distance and Gate Bias. Research Square. https://doi.org/10.21203/rs.3.rs-10451190/v1

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Auteur(s)

Soufiane Derrouiche

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