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3D Simulation and Optimization of Characteristics of Al0.1Ga0.9N/In0.2Ga0.8N High Electron Mobility Transistor with B0.03Ga0.97N Back-Barrier Layer

Article scientifique 2021 Anglais

Résumé

Citer ce document

Bechlaghem, F. Z., & Hamdoune, A. (2021). 3D Simulation and Optimization of Characteristics of Al0.1Ga0.9N/In0.2Ga0.8N High Electron Mobility Transistor with B0.03Ga0.97N Back-Barrier Layer. Research Square. https://doi.org/10.21203/rs.3.rs-370364/v1

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Auteur(s)

Fatima Zahra Bechlaghem A. Hamdoune

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